为了展示它的性能，我豁出去了，消耗了将近1TB的读写量，来进行测试。但是由于时间有限，所以并没有每次测试之后都完全擦除，所以结果仅供参考。每种软件也仅仅测试了默认的参数（想必很多人都是用默认参数测试的）的和最大文件尺寸的（基本都是32GB）的测试，其他参数都没有修改。空盘测试后执行一次格式化，并等待一段时间让其恢复速度。究竟有没有参考价值，各位自行斟酌吧。作为对比，把我作为系统盘的建兴T10（老的MLC版）拉了出来，因为是正在使用中的盘，也没法全盘清零，所以也请见谅。P1 1TB的官方标称速度是连续读2,000MB/s，连续写1,700MB/s，4K（Q8T8）随机读170k IOPS，4K（Q8T8）随机写240k IOPS。使用的主控是慧荣SM2263主控，闪存颗粒是镁光自己的3D QLC NAND。MTTF是180万小时，TBW是200TB。软件均使用最新版本，从官网下载。CrystalDiskInfo这个软件是看磁盘信息的，可以看到是一块新盘（读写和启动次数都是我测试产生的）。闲置时温度40多度，工作时可以到60多度。下面有请陪练。CrystalDiskMark版本：6.0.2首先我们用官方的测速软件来练练手，不过我用的版本比较新，测试的项目和之前的版本有所不同。首先是默认的1GB测试数据大小。可见还是能达到官方的标称连续读写速度的，4KB（Q8T8）随机读写换算一下（速度(MB/s)×1,024(KB/MB)÷4(KB/io)），读178,048 IOPS，写238,771 IOPS，也是能达到官方标称的。和MLC的建兴T10还互有胜负，看起来还是不错的。下面32GB测试数据大小看看。32GB下连续读倒是没太大变化，连续写就掉得很多（估计是SLC缓存爆了，关于SLC缓存见下面“附加赛”），4KB（Q8T8）随机读也严重下降，写反而没太大影响，有懂的帮分析分析？建兴T10倒是稳如狗，只有些许下降，甚至写还有提升？这一定是随机误差。AS SSD Benchmark版本：2.0.6821.41776其实测试软件找一两款就够了，但是考虑到大家偏好都不同，所以还是都测一测，方便对比吧。下面每两张图是一组，分别显示速度和IOPS，都是同一次测试的。还是先上1GB的。虽然连续读的速度比官方标称的小，但我相信是随机误差。下面10GB的。可以看到10GB的数据和1GB的相差不大，可见10GB还没有爆SLC缓存，AS SSD Benchmark的参数设置还是太保守了。TxBENCH版本：0.96 beta因为TxBENCH的Advanced Benchmark需要未分区的盘来测试，所以我只进行了Basic Benchmark的测试。默认的Measurement size是512MB。最大的Measurement size是32,768MB（32GB）。速度比512MB下降严重，连续读腰斩，连续写甚至只有三分之一了，妥妥地爆缓存了。Anvil's Storage Utilities版本：1.1.0默认Test size是1GB的。最大Test size时32GB。ATTO Disk Benchmark版本：4.01.0f1这也是老牌测试软件了，I/O Size全部都是512B到64MB。下面的图片也是两张一组，是同一次测试，用不同的单位表示。涉殴胃结石一下，这个软件表示的是用I/O Size作为每次I/O操作的数据量，然后读取或写入File Size的文件。比如256MB用1MB的I/O Size读写就是读写256次，用2MB就是读写128次，所以可以看到I/O Size越大IOPS反而越小。File Size首先时默认的256MB。接下来是32GB的File Size。附加赛首先来说说SLC缓存。SLC就是一个存储单元只有2种状态（分别表示二进制0和1），因为只对应1个比特位，修改时也只修改对应的比特位。而后面出现的MLC一个存储单元有4种状态（分别表示00、01、10、11），对应2个比特位，就算只修改其中一个比特位，也要同时操作两个比特位。再后来的TLC就是8种状态（000、001、010、011、100、101、110、111），对应3个比特位。而QLC就是4个比特位16种状态了（0000、0001、0010、0011、0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111）。所以说为啥三星的4-bit MLC是骗人的。研究发现，大多数时候的读写操作只会操作较少的数据量，很少会出现一次操作上百GB的情况。所以先用一部分存储单元模拟SLC作为缓存（把存储单元一半的状态当作0，另一半状态当作1，比如QLC就是把其中8种状态当作0，另外8种状态当作1），这样虽然会损失一些存储空间（毕竟原来4比特现在只能表示1比特了），但是速度却大大提升。对大多数情况来说，模拟SLC缓存这部分已经足以应对，当SSD空闲时，主控再把这些数据搬迁到其他单元里储存起来。缺点就是一旦数据量超过模拟SLC缓存的这部分，就只能直接写入其他单元了，速度就大大下降。还有个缺点就是如果搬迁数据时突然断电，会有可能丢失数据。下面我们就来测测这个搬迁前后的速度。下面就只用CrystalDiskMark来测试了。先复制大量数据数据，在结束复制后然后马上测试速度。可以看到，这个速度和32GB测试量的数据除了连续读都大幅下降之外，其他的基本一致，可见32GB变慢就是爆SLC缓存了。然后静置一段时间再测试。可以看到，除了连续写之外，基本都已经恢复了。那么为什么连续写无法恢复到原来的速度呢，这里涉及到另一个知识点了。首先我们要知道，擦除是比读写慢得多的操作，而且擦除是会损耗存储单元寿命的。固态硬盘擦写时并不是一个存储单元一个存储单元地操作，而是把一些存储单元作为一个集体一起操作，其中擦除（将存储单元恢复到初始状态，一般是全1）操作的最小单位叫做Block，而写入操作（将1改写成0）的最小单位叫做Page。一个Block包含若干个Page。如果一个Block中还有空的Page，那么它是可以直接写入的，但如果Page都写入过了，那么这个Block需要擦除之后才能写入。对于空白的SSD，我们只要一个接一个地把Block写着下去就行了，不涉及擦除操作，所以速度很快。但如果我们删除了一些数据呢？那么这些Block就不“干净”了，有“垃圾”了。对于整个Block都不干净的，主控直接擦除就行了。但有的Block只有部分数据是没用，还有一些有用的。主控会把这些有用的数据整理起来放到干净的Block里，然后再把不干净的Block擦除。这个过程就叫做“垃圾回收”。在我们多次写入和删除文件之后，不干净的Block明显会增多，这个时候主控还来不及垃圾回收，我们就要写入新的数据，速度就会有明显受到影响影响了。这也就是为什么SSD会越用越慢了。特别是SSD的占用越多，可供垃圾回收利用的干净Block越少，速度会越慢。我们可以静置一段时间，让主控完成垃圾回收，这样我们就有更多的干净Block可以写入了，速度会有所恢复。其实SSD都会保留一部分空间，不会计入到可用空间中，就是为了让数据快写满时也有干净的Block可以进行垃圾回收，而不至于发生全部都是不干净的Block造成无法写入。说到垃圾回收就不得不说另一个东西——TRIM。操作系统的文件系统在删除文件时，并不会真正地删除数据，而只是标记这个地方没用了，下次如果用到时再覆盖。但是SSD主控不知道，它还是会认为这些已经被删除的数据还是有用的，从而不对这些被删除的数据进行真正地删除操作，甚至还在垃圾回收过程中将他们搬来搬去。而TRIM指令就是操作系统在删除时告诉SSD，这些数据已经没用了，从而主控就可以对相关的Block进行垃圾回收。下面就是我将盘基本写满（90%），再静置了几个小时之后的速度。可以看到，除了连续写，都恢复得和空盘差不多了（有的甚至比空盘还好，估计是因为我的空盘并不是完全擦除的有关）。垃圾回收效果十分显著。尾声非常抱歉，由于时间和精力有限，没法给大家奉上更加详实准确的数据。相信看过上面的数据，各位对这款SSD能有自己的判断了。（完）
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