
三星推出的新一代企业级SSD,专为中小型企业打造,具有不错的稳定性和成本优势,能满足大数据时代对高性能计算存储需求。
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我看你说的意思,大概明白,你意思是三星做出最原始的bit,单元,也就是封装nand那时候,分单元数量,分层是伐?理论上是如此。
一个晶片分64层,96层,128层。然后单元越来越多。就可以用这种128层nand做slc是伐?理论上是可以的。问题是,没见到这种产品。就Intel 傲腾905p,960g拆开一看,密密麻麻的颗粒。我猜目前没这个技术把分这么多层的颗粒做到slc。就我个人而言。我可以买到64层tlc,也不想买96层的tlc。
你觉得三星没钱买12寸晶圆原材料,Intel全都买中心区域料?一个单元存三个电子,这是mlc?
嘴巴一张,说是可以说3bit mlc。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。三星宣传nand技术升级切出64层,96层,还是128层,从没宣传过新nand技术切除4bit 3bit 之类的。硅晶圆是一批批一片片买的。三星有光刻机做出来。大小12寸到左右。无论边缘还是中心,都是高纯度99.999%硅晶圆。边缘的地方有边角料做不了晶片而已。
一本正经的胡说八道。
你知道3bit什么意思吗就统一生产3bit NAND闪存?统一生产的永远是NAND闪存颗粒,而不是3bit NAND颗粒,因为3bit就意味着定好了它是一个单元里面存储3bit信息,也就是tlc。3bit mlc,就是说它1个单元存储3bit信息,这就是完完全全的tlc的名字含义啊!
顾左右而言他,你肚子里没东西就别杠了。
还来说着乱七八糟的,我问你结果是金刚石还是煤碳,你又来告诉我他是碳原子构成的。三星的这个是tlc颗粒的tlc固态,就是一个铁的事实,是一个结果。你到底在扯什么东西,你说的东西改变了结果了吗?
解答和例子同上,另外,三星现在的命名只强调了颗粒封装前的原始bit。HDD里面PMR分为CMR和SMR,咋就不能给SMR标注原始分类命名-PMR了?一个三星生产线上只存在3bit的V NAND颗粒,最终产品竟然宣传SLC,你要不直接让三星把他今天的SLC改名3bit MLC,反正生产线上分家前都是一个模子。三星标注3bit MLC,和其随大流停2换3有关。
我问你这是金刚石还是煤炭,你告诉我都是碳原子,再问你这到底是煤炭还是金刚石,你告诉我金刚石也可以用煤炭,人造压缩而成,那这到底是煤炭还是金刚石?你的语文到底及格没有,都这么跟人回答问题的吗
你怎么就看不懂汉字呢?我问你结果呢?三星这就是出厂就是tlc颗粒的tlc固态啊,确实颗粒物理结构一样,但出厂就是固定的啊。还要我再说一遍3bit mlc的全称给你?
这东西我自己贴片都是弄过的,不管第一次丝印是什么TLC编号,厂家第二次丝印都有可能印成同一个MLC编号。
我还真拆过,部分颗粒存在重新丝印的情况,第一次丝印就是TLC编号,第二次覆盖丝印就变成了MLC编号,颗粒是一个颗粒,但是型号就完全不同,服气了?
你完完全全混淆概念,不看本质,还自以为有理。闪存颗粒本来是一样的颗粒,但是作为mlc还是tlc出厂就设定好了,你之前举得例子,应该说鱼竿厂那个,是使用mlc颗粒的tlc固态,海康是使用qlc颗粒的tlc固态,而三星这个,就是使用tlc颗粒的tlc固态。本来是SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,三星给自己的tlc颗粒叫3bit Multi(多级)-LevelCell,本来就是tlc的不同叫法,而且是2D时代就这么叫了,和3D时代有什么关系,自己自以为是还自鸣得意
你先了解一下三星3bit mlc的全称,3bit MLC就是TLC,因为一个闪存单元能存储3bit的数据,其中M的意思是Multi-Level(多级),所以2bit MLC就是通常所说的MLC,4bit MLC就是QLC。3D和3bit完全没有任何关系,三星最早的tlc固态就称自己为3bit mlc,请问,那时候哪来的3D颗粒,怎么开不同模式。本来就是三星自己的一种营销手法,跟你这整得好像三星多好,用mlc开成tlc一样
请问三星的所谓3bit mlc名字是怎么来的,和他的2bit mlc是一样的?那我把两个闪存颗粒对换一个可以么,反正都是开成的模式嘛,也就是容量不同罢了对吧
拆解一下看看,固态上的颗粒写的是什么?照你这么说,那我把三星各固态上的颗粒随便挪用了?
要不要再给你举个例啊。慧荣的开卡软件,不管主控支不支持TLC,都可以把后面的3D MLC量产成TLC,哪家颗粒都一样。顺便,鱼竿厂标TLC的1.5T就来自于总容量为1T的3D MLC,这盘颗粒来源就不止IMFT。
不好意思,钻石和碳之间的转化是化学变化,本质上就不一样。而3D时代的SLC到PLC本质上都是一个东西,你要是能拿到工厂开卡软件的,拿着SLC,也能开成QLC,深圳目前一堆工厂都是这个做法,2D时代的TLC就没法用开卡软件开成MLC。事实证明3D时代的发展方向才是正确的。
自己去看海康TLC NVMe SSD吧,那个颗粒在东芝那原本就是作为4bit QLC生产的。咋就没人说海康这个是QLC,美光那个SLC/MLC是QLC了?按三星的命名,这些都应该叫4bit MLC,但是他们的数据库直接命名SLC-TLC,到三星这就开始蜂拥而上直接把原始bit跟最终模式划等号,你们不就是一群冥顽不灵的黑子么,还在坚持已经被淘汰的2D时代的东西。
你没听过就没听过呗,自从IMFT五六年前开了颗粒由固件模式决定而不是生产线决定的先河,颗粒本身和最终模式就已经完全脱钩。你的错误认知就是把SLC~PLC划等号,颗粒由生产时决定的时代早已不复存在,这种颗粒各家都已经停产好几年了。
你对固态的理解完完全全是错误的。难道你以为三星的tlc,mlc是一种颗粒的不同模式?错,mlc颗粒和tlc颗粒生产出来就是不一样的。虽然intel和镁光的3D mlc颗粒可以开成tlc模式用,可三星东芝就从来没听说过。三星的3bit mlc就是tlc没有任何问题,至于寿命问题,那就是颗粒质量还有厂家固件的关系。我不知道你的知识是哪里学来的,还一遍遍卖弄。甚至别人问东你答西,一句是tlc就能回答的问题,扯淡半天,然后相当于什么也没说,也没给个结果
然后呢?哦,这是个煤炭,由碳构成,而碳它也可以构成钻石,请问难道现在这个煤炭它就等同于钻石了?你扯半天这个固态就不是tlc了?莫名其妙,到底是谁教你的乱七八糟的
INTEL S3710,采用20nm MLC,在大op(预留空间)的基础上,200G就有3.6PBW的写入保证,INTEL官网明确标注采用“高耐用性技术(HET)”。
英特尔高寿命技术颗粒,来自原始晶元上中心位置的颗粒,品质好又稳定,能满足企业要求,三星东芝他们管这个叫eSLC/eMLC/eTLC/eQLC,e是企业英文单词的首字母。最中间的就是给工控机等的颗粒,品质优于企业级。原始晶元上再外圈的颗粒就是消费级,更外圈的就是降级颗粒甚至报废级,东芝Q200 MLC固态就来自于外圈边角料。给颗粒开不同模式的做法来自于英特尔和美光合资的IMFT,最后被所有厂家所接纳。三星983ZET都还是3bit Z-NAND颗粒呢,人家开SLC模式,就有几万的P/E。这些都是厂家公开的信息,
英特尔的高寿命技术颗粒,等同于各家的e开头的企业级颗粒,英特尔在自家公开文件里面是白纸黑字写出来的,你无知是你的问题,原来你无知就等于不存在。三星3bit颗粒开MLC模式和TLC模式,最后的寿命在他的官方手册上也是白纸黑字标出来的。
又是你,老是扯什么模式颗粒,莫名其妙的所谓高寿命模式,哪有这种东西,就是各家固件问题……还有,就是故意不说最后结果,最后硬盘是tlc,寿命依然一样是tlc寿命,扯那么多干嘛。
部分旗舰盘,会使用原生2bit颗粒,甚至还会使用高寿命技术,这种颗粒自然只能开slc/mlc模式。
生产3bit颗粒,主控按2bit模式开卡是imft(英特尔和美光合资的闪存厂,现在美光独资)通行的做法,三星也一样。现在铠侠也这么做了,你看到的铠侠tlc,有可能就是拿4bit颗粒开的tlc模式。
颗粒跟模式不一样