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  • SSD科学研究 篇四:1079元512G超本M2升级选择:LITEON 建兴 T11 512GB SSD固态硬盘 开箱评测
       购买理由最近发现身边一个朋友的THINKPAD X260自己加了一块SSD,出现了一些莫名的问题。其实X260这个机器还是出来比较早的了,内置了一个SATA一个M.2的插槽但是拆开看这个M.2会发现竟然这个长度不是我们常见的2280长度而是2242。朋友不管3721直接买了一块创见的M.2 2242 SATA6G的128GB SSD插上去发现竟然X260不认盘系统里也找不到创见SSD,真让人懵逼了。其实究其原因还是因为X260的M.2 2242插槽仅仅支持PCIE GEN3 X2的NVME SSD,虽然X260上市的时候,世面还没有M.2 2242长度的NVME SSD,但是这个本子却奇葩的支持了,而且是仅仅支持PCIE GEN3 X2 的NVME SSD并且不支持SATA6G的M.2 SSD。那我再把M.2 SSD中2280长度和2242长度的分一下接口和协议:2280长度的M2 SSD分为三种:2280 PCIE GEN3 X4 NVME2280 PCIE GEN3 X4 AHCI2280 SATA6G这里面除了2280 PCIE GEN3 X4 AHCI的SSD我仅仅见过一个SM951 AHCI版本以外其他的都很普遍,都可以轻松购买到。2242长度的M.2 SSD分为两种:2242 PCIE GEN3 X2 NVME2242 SATA6G这里面2242 SATA6G是可以随便买到的,但是2242 PCIE GEN3 X2 NVME的SSD却真是的凤毛麟角难得一见。带宽的话,PCIE GEN3 X2是2000MB/S,PCIE GEN3 X4是4000MB/S,而SATA6G只有600MB/S。那么现在说回刚才的话题,X260这个问题其实也不是个例存在,除了X260以外联想的ThinkPad X270、T470T470p、T570、P51s;Ideapad 320、320s、520、Y520、720s、700以及华为MateBook X都是仅仅支持M.2 2242的SSD,而这其中仅仅支持NVME的M.2 2242 SSD的本子对于想为自己笔记本加装第二块M.2 SSD的人来说简直是个噩梦。当我打开京东搜2242 SSD会出来600多个商品当选择M.2会只剩下100多件商品当选择M.2 NVME会只剩下一款产品,LITEON T11而这个盘也不是随便乱买的,128GB是2280长度而且没有马甲,只有256GB和512GB才是2242长度并且有加装2280延长散热片的。所以面对X260要加装第二块SSD的时候,是几乎没有什么选择的,在京东买的话也只有LITEON T11 256/512GB可以满足需求了,而且这个价格我个人觉得并不便宜,比大家公认的T10价格也差不了多少,而且规格参数性能包括接口都大为打折,PCIE GEN3 X2的接口速度,加上偏低的持续和随机读写速度,而且价格还真的不比高速读写的T10便宜。外观展示包装双面内盒附件有螺丝刀一只,螺丝一个以及M2垫片一只T11 的散热片从质地和重量上明显优于T10的,红色的配色也迎合了当前PC配色的流行趋势,PCIE GEN2 X2的M.2接口KEY是和大部分的M.2 SATA6G的盘一样的B+M KEY,而普通PCIE GEN3 X4的M.2 NVME都是M KEY接口。一看SSD的背面就顿时有想笑喷的感觉,硬是将2242长度的盘体用散热片强制延长成为2280长度,为了适配2280的M.2插槽孔位。2242盘体和散热片并没有螺丝结合,轻轻一推即可分离T11 512GB的2242本体用镊子即可轻轻取下贴标的标签,只要不破坏不会影响质保的,盘体背面仅有一颗BGA封装的TOSHIBA NAND,编号为TH58TFT1UHLBAEG,这一颗闪存PLEXTOR也使用过,TOSHIBA 15NM 2D  TLC,容量256GB。盘体的正面有一颗相同的NAND,另有一颗SKhynix H5TC4G63CFR的512MB DDR3L 1600的缓存,与一颗主控PHISON PS5008-E8。使用感受测试平台:主板:华擎Z370M ITX/AC处理器:INTEL I7 8700K(开盖换液金)DRAM:芝奇 幻光戟 DDR4 3200 C14 8GBX2图形:EVGA GTX1060 6GB SC电源:台达FLEX 400W金牌机壳:ZS-A4M散热器:猫头鹰L9I系统盘:INTEL DC S3500 800G操作系统:Microsoft Windows 10 PRO X64 1703安装好T11之后,准备测试上机之后,这个盘一样需要在设备管理器的属性里面点击“关闭设备上的WINDOWS写入高速缓存告诉缓冲区刷新”。到手的固件版本是1.0。可以通过建兴的SSDXFLASH工具在WIN下升级到2.0版本固件。首先用AS SSD BENCHMARK随便压了一下1GB 3GB 5GB 10GB数据块大小:0%空盘容量下,数据块越大,对SEQ持续写入和4K-64Thrd随机64队列深度写入影响也越大,这个2D TLC都是这个德行,倒是没什么意外,但是读取部分和4K写入部分轻微衰减。首先是持续测试(Seq),AS SSD会先以16MB的尺寸为单位,持续向受测分区写入生成1个达到1GB大小的文件,然后再以同样的单位尺寸读取这个,最后计算平均成绩而给出结果。测试一完毕,测试文件会立刻删除。再来是随机单队列深度测试(4K),测试软件会以512KB的单位尺寸生成1GB大小的测试文件,然后在其地址范围(LBA)内进行随机4KB单位尺寸进行写入及读取测试,直到跑遍这个范围为止,最后同样计算平均成绩给出结果。由于有生成步骤,本测试对硬盘会产生一共2GB的数据写入量。本测试完毕后,测试文件会暂时保留。到随机64队列深度测试(4K-64Thrd),软件则会生成64个16MB大小的测试文件(共计1GB),然后同时以4KB的单位尺寸,同时在这64个文件中进行写入和读取测试,最后依然以平均成绩为结果。本步骤也同样产生2GB的数据写入量。本测试一完毕,测试文件会立刻删除。接着是数据存取时间测试(Acc.time),软件会以4KB为单位尺寸,随机读取全盘地址范围(LBA),写入则以512B为单位尺寸,随机写入保留的1GB地址范围内,最后以平均成绩给出结果。----百度90%满盘容量下,可以发现和空盘相比,最受到影响的是4K写入效能,从空盘的100 MB/S以上被打到4X MB/S。然后我用CRYSTAL DISKMARK再去压了一次数据,选了1GB 4GB 16GB 32GB四个数据块大小进行测试。0%空盘容量下 和前面AS SSD BENCHMARK结果差不多,随着数据块增大,持续写入和4K QD32的写入效能 发生降低。读取部分和4K写入部分轻微衰减变化不大。90%满盘容量下,4K写入效能和前面一样被大大削弱,衰减程度和前面一样。所以这个盘简单来说,写了数据之后的4K写入效能是会发生严重衰减的,而一旦测试数据块变大,持续写入效能也会跟着衰减。相对稳定的只有读取部分,明显的读取取向的SSD产品。然后我用HDTUNE在RAW格式下检测了一下全盘持续写入和读取的效能衰减趋势。读取是一直很稳定几乎一条线到底,平均值708.3MB/S写入的话,开始一段是SLC Cache轨迹的高峰值,爆了SLC Cache之后,就开始大幅下降,并且呈剧烈的上下振动图形,一直在72~550MB/S之间震荡,平均在194MB/S。老牌软件HD TACH RW版本测试的趋势和HDTUNE差不多,只不过数据更低一些,读取平均在524.4MB/S 写入在158MB/S附近。所以这个盘的持续读写效能,应该和TLC的SATA盘差不多,高也高不了太多,持续读取很稳健能保持峰值稳定,而持续写入效能就会高高低低的不停来回震荡,感觉上和固件激进的垃圾回收机制有关。所以这个盘如果你连续测试AS SSD BENCHMARK的话,只要爆掉SLC Cache之后,写入部分就会一下低一下高,给人的感觉就是写入部分不是很稳定,但是读取部分是没有问题的。下面将要进行的是最大带宽测试和离散度测试,测试之前的预处理手法是:* 清洗:安全擦除即SECURE EARSE* 预热:使用IOMETER在128K持续写入双倍SSD容量最大带宽测试最大带宽测试其实是我对官标的一个验证测试,每个SSD都有自己的性能评估标准,而我们用类似的评估手法去评测性能,判定是否达到官方标称的性能参数。使用IOMETER对128K进行持续读写,对4K进行随机读写,深度均为QD1-128,每个深度一分钟,统计最大值,列表。由于手头上正好有T10 480GB,所以就一起测试比较一下。T11 512GB 4K 随机写入最大带宽是137452 IOPS4K随机写入QD1-128的进程中,速度稳步上升到QD128,但和自己的师兄T10 480GB没得比T11 512GB 4K 读取写入最大带宽是167947 IOPS4K随机写入QD1-16的进程中,和T10 480G差不多,但从QD16-128深度中,妥妥被师兄超越和压制。T11 512GB 128K 持续写入最大带宽是1061MB/S,QD1-QD128缓慢上升,随后在QD128达到最高峰值1061MB/S,但是一直被同门TOSHIBA 15NM 2D MLC的T10 480GB压制死死无法翻身。T11 512GB 128K 持续读取最大带宽是1693MB/S,结果一样被T10 480GB压制然后我们再次拿出官标的参数来看下,官标最大化持续读:1500 MB/S 实测:1693MB/S官标最大化持续写:1100 MB/S 实测:1061MB/S官标最大化随机读:160K IOPS 实测:168K IOPS官标最大化随机写:140K IOPS 实测:137K IOPS基本可以说,官标达标。但是仅仅从最大带宽来看,T11被T10压着被打趴下是没有问题的,毕竟接口带宽就差了一倍。离散度测试4K QD32 随机写入5000秒当4K随机写入效能从43K IOPS跌下这一段是SLC Cache的轨迹,随后便是真实的高压下的4K随机写入效能,平均数值在2421 IOPS,最低下潜在1900IOPS附近,平均延迟密集分布在13MS附近,而最高的平均延迟在18.5MS附近。4K QD32 随机读取5000秒4K随机读取测试倒是如意料之中的雷打不动一条直线,稳定在115K IOPS,平均延迟0.3MS雷打不动。128K QD32 持续写入5000秒128KB的持续写入相对来说我觉得不稳,主动GC的锯齿浮动存在,在920~80MB/S附近不停的大幅抖动,平均189MB/S,平均延迟也不够稳定在5~63ms之间不停抖动,平均在21.07ms128K QD32 持续读取5000秒128K持续读取倒是意料中的的曲线,930MB/S的平均读取速度和4.5MS的平均延迟,非常的稳健。离散度测试主要看一下这个盘的稳定性如何,从这个环节可以看出和以上所有测试类似的结果,就是涉及读都稳定,只要涉及写入环节,无论是持续还是随机,都会以主动GC恢复写入性能为固件的首要任务去进行操作,所以这个盘,每测一次,随机或者持续写入的速度都是不同的,而且时刻在不停的变化中。我相信这也是很多买了这个盘的消费者共同的感受。不过群联主控的写入抖动并不仅仅出现在PS5008主控上面,PS5007主控一样有这个问题,只不过振幅没这么大而已。这个测试令人稍微心安的是,写入没有抖动到0点的出现,说明虽然固件虽然写的一般般但是也没有明显的BUG存在,读取部分是没有任何问题的。温度温度来说,待机46度在进行128KB QD32深度持续写入的测试中,也是全程温度最高的一段测试,满载温度在59度左右,感觉还是可以接受,放进去超极本里面,去掉马甲,大概要增加个6-8度附近,仍属可以接受范围。   总结1、如果要在台式机或者笔记本上使用M.2 2280规格的NVME SSD的话,T10会比T11更快更稳定,LITEON的命名数字规则不代表任何含义,T10肯定比T11高一个规格,所以对写入性能有要求的消费者要在T10和T11中做抉择,可以毫不犹豫选择T10。2、如果要在类似X260这类的只支持M.2 2242 NVME SSD的插槽的笔记本里增配一块SSD的话,除了T11你几乎没有更好的选择,遇到刚需你还是必须得买这块。虽然写入性能不令人满意,但是至少读取还是非常稳健的,而且是正片。三年包换至少比一些OEM货要令人放心一些。3、关于价格: 建兴(LITEON) 睿速系列 T11 512G M.2 NVMe固态硬盘(带散热片)1499元M.2 2242 NVME SSD 京东去购买 建兴/LITEON T11 512G M.2 PCIE NVME SSD 2242/2280固态硬盘1079元天猫活动促销1079天猫精选去购买 其实无论是京东还是天猫,已经找不到M.2的512GB NVME SSD的价格低于1200块的了,1079其实刚需可入。 阅读全文
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